Aplikacja jest kompletnym darmowym podręcznikiem VLSI z diagramami i wykresami. Jest to część edukacji inżynierii elektroniki i komunikacji, która przynosi ważne tematy, notatki, wiadomości i blog na ten temat. Pobierz aplikację jako przewodnik po krótkich referencjach i e-bookach na ten temat inżynierii elektroniki i komunikacji. Aplikacja obejmuje ponad 90 tematów VLSI Design szczegółowo. Tematy te są podzielone na 5 jednostek. Można bardzo łatwo zdać i odnieść sukces w egzaminach lub wywiadach, aplikacja zapewnia szybką rewizję i odniesienie do tematów, takich jak szczegółowa karta flash. Każdy temat jest uzupełniyć diagramami, równaniami i innymi formami graficznych reprezentacji dla łatwego zrozumienia. Niektóre z tematów objętych tą aplikacją są: 1. Pamięci półprzewodnikowe: Wprowadzenie i typy 2. Pamięć tylko do odczytu (ROM) 3. Trzy tranzystory DRAM 4. Jeden tranzystor DRAM Cell 5. Pamięć flash 6. Low - Power CMOS Logic Circuits: Wprowadzenie 7. Konstrukcja falowników CMOS 8. Falowniki MOS: wprowadzenie do charakterystyki przełączania 9. Techniki oparte na skanowaniu 10. Wbudowane techniki autotestu (BIST) 11. Historyczna perspektywa VLSI Design: Prawo Moore'a 12. Klasyfikacja typów obwodów cyfrowych CMOS 13. Przykład projektu obwodu 14. Metodologie projektowania VLSI 15. Przepływ projektowy VLSI 16. Hierarchia projektowa 17. Koncepcja regularności, modułowości i lokalizacji 18. Produkcja CMOS 19. Przepływ procesu produkcji: Podstawowe kroki 20. Produkcja tranzystora nMOS 21. Produkcja CMOS: proces p-well 22. Produkcja CMOS: proces n-well 23. Produkcja CMOS: proces podwójnej wanny 24. Schematy drążków i projekt układu maski 25. Tranzystor MOS: struktura fizyczna 26. System MOS pod zewnętrznym uprzedzeniem 27. Struktura i działanie MOSFET 28. Napięcie progowe 29. Charakterystyka napięcia prądowego tranzystora MOSFET 30. Skalowanie mosfetów 31. Skutki skalowania 32. Małe efekty geometrii 33. Pojemność MOS 34. Falownik MOS 35. Charakterystyka przenoszenia napięcia (VTC) falownika MOS 36. Falowniki z obciążeniem MOSFET typu n 37. Falownik obciążenia rezystancyjnego 38. Konstrukcja falowników wyczerpywania się obciążenia 39. Falownik CMOS 40. Definicje czasu opóźnienia 41. Obliczanie czasów opóźnienia 42. Konstrukcja falownika z ograniczeniami opóźnienia: Przykład 43. Kombinowane obwody logiczne MOS: wprowadzenie 44. Obwody logiczne MOS z wyczerpywaniem się obciążeń nMOS: Brama dwuwejska NOR 45. Obwody logiczne MOS z wyczerpywaniem się obciążeń nMOS: Uogólniona struktura NOR z wieloma wejściami 46. Obwody logiczne MOS z wyczerpywaniem się obciążeń nMOS: Analiza stanu nieustalonego bramy NOR 47. Obwody logiczne MOS z wyczerpywaniem się obciążeń nMOS: Brama NAND dwuwejście 48. Obwody logiczne MOS z wyczerpywaniem się obciążeń nMOS: Uogólniona struktura NAND z wieloma wejściami 49. Obwody logiczne MOS z wyczerpywaniem się obciążeń nMOS: Analiza stanu nieustalonego bramy NAND 50. Obwody logiczne CMOS: BRAMA NOR2 (dwa wejście NOR) 51. Brama CMOS NAND2 (dwuwejście NAND) 52. Układ prostych bramek logicznych CMOS 53. Złożone obwody logiczne 54. Złożone bramy logiczne CMOS 55. Układ złożonych bramek logicznych CMOS 56. Bramy OOI i OAI 57. Bramy Pseudo-nMOS 58. CMOS Full-Adder Circuit & carry ripple adder 59. Bramy transmisyjne CMOS (bramki przeładowy) 60. Uzupełniająca logika tranzystora pass-tranzystora (CPL) 61. Sekwencyjne obwody logiczne MOS: Wprowadzenie 62. Zachowanie elementów bistabilnych 63. Obwód zatrzasku SR 64. Taktowany zatrzask SR 65. Taktowany zatrzask JK 66. Master-Slave Flip-Flop 67. CMOS D-Zatrzask i klapka z wyzwalaną krawędzią 68. Dynamiczne obwody logiczne: Wprowadzenie 69. Podstawowe zasady obwodów tranzystorów pass
historia wersji
- Wersja 5.1 opublikowany na 2016-07-18
Piękne logo aplikacji i poprawka błędu.
Szczegóły programu
- Kategorii: Edukacji > Narzędzia do nauczania i szkolenia
- Wydawca: Engineering Apps
- Licencji: Wolna
- Cena: N/A
- Wersja: 7
- Platformy: android